關的研發(fā)，并且主要限于計算機仿真研究，這就導致了我國在IGBT設計和研發(fā)方面的人才奇缺。

破繭成長

因為國內企業(yè)在IGBT芯片設計、制造以及封裝各環(huán)節(jié)的技術和積累都比較少，短期內趕上國際水平不太現(xiàn)實，所以，提升進口替代產品的能力就成了國內企業(yè)首選方向，以價格優(yōu)勢和本土優(yōu)勢搶占市場份額，據(jù)了解，IGBT國產化器件相比國外企業(yè)成本節(jié)約15~20%，即使售價減少40%，國內企業(yè)依然擁有30%以上的毛利率。另外，國外企業(yè)產品定位大部分是工業(yè)應用領域大功率IGBT，而我國是世界上最主要的家電生產和消費國，加上小功率IGBT生產門檻較大功率低，所以，國內企業(yè)進入IGBT行業(yè)家電領域是最適合的切入點。“在過去2-3年中，國產IGBT特別是1200V 平面非穿通型和1200V 溝槽非穿通型，在消費電子市場有了突破。預計未來2-3年，將在600V以及1,700V甚至更高電壓的技術上有所突破。中大功率應用將會在未來3-5年內看到國產IGBT器件。”從華潤上華分立器件產品開發(fā)中心總經理吳宗憲回答可以看出，他對國產IGBT的發(fā)展前景充滿信心。

而智能電網、高鐵建設、新能源汽車以及家電節(jié)能等本土市場，更為企業(yè)的技術突破，實現(xiàn)IGBT的替代創(chuàng)造了堅實的市場基礎。尤其是節(jié)能與新能源是國家發(fā)展新興科技產業(yè)的重點，而IGBT則是節(jié)能與新能源領域核心器件，所以IGBT產業(yè)化不僅僅是市場需求，同時也是國家發(fā)展的戰(zhàn)略需求。發(fā)改委于2010年3月19日下發(fā)紅頭文件：《國家發(fā)展改革委辦公廳關于組織實施2010年新型電力電子器件產業(yè)化專項的通知》，其專項重點明確了以IGBT為代表的芯片和器件的設計開發(fā)及產業(yè)化、功率模塊產業(yè)化。這說明國家對目前功率半導體國產化的現(xiàn)狀已有比較深刻的認識和危機意識。